စက်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုသည့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပလပ်စတစ် MOS2+PA6/PA66/PA46

ပွတ်တိုက်ပစ္စည်းများအတွက်အသုံးပြုသော MOS2 ၏ အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်မှာ အပူချိန်နိမ့်သောနေရာတွင် ပွတ်တိုက်မှုကို လျှော့ချရန်နှင့် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ပွတ်တိုက်မှုကို တိုးမြှင့်ရန်ဖြစ်သည်။မီးလောင်မှု ဆုံးရှုံးမှုသည် သေးငယ်ပြီး ပွတ်တိုက်မှုတွင် မငြိမ်မသက်ဖြစ်စေသည်။

ပွတ်တိုက်မှုလျော့ချခြင်း- အသံထက်မြန်သောလေစီးကြောင်းကို 325-2500 mesh ဖြင့် ချေမှုန်းခြင်းဖြင့် ပြုလုပ်သော MOS2 ၏ အမှုန်အရွယ်အစားသည် 325-2500 mesh အထိ၊ မိုက်ခရိုအမှုန်များ၏ မာကျောမှုသည် 1-1.5 ဖြစ်ပြီး ပွတ်တိုက်မှုကိန်းဂဏန်းမှာ 0.05-0.1 ဖြစ်သည်။ထို့ကြောင့်၊ ၎င်းသည် ပစ္စည်းများ၏ ပွတ်တိုက်မှုကို လျှော့ချရာတွင် အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နိုင်သည်။

Rammerization- MOS2 သည် လျှပ်စစ်မစီးဘဲ MOS2၊ MOS3 နှင့် MoO3 ၏ copolymer ပါရှိပါသည်။ပွတ်တိုက်မှုကြောင့် ပစ္စည်း၏ အပူချိန် သိသိသာသာ မြင့်တက်လာသောအခါ၊ copolymer အတွင်းရှိ MoO3 အမှုန်များသည် အပူချိန် မြင့်တက်လာသည်နှင့်အမျှ ပွတ်တိုက်မှု၏ အခန်းကဏ္ဍမှာ ပါဝင်လာသည်။

ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်ပစ္စည်း- MOS2 ကို ဓာတုသန့်စင်မှုပေါင်းစပ်တုံ့ပြန်မှုဖြင့် ရရှိသည်။၎င်း၏ PH တန်ဖိုးသည် 7-8 ဖြစ်ပြီး အနည်းငယ် အယ်ကာလိုင်းဖြစ်သည်။ပွတ်တိုက်နေသောပစ္စည်း၏ မျက်နှာပြင်ကို ဖုံးအုပ်ထားနိုင်ကာ အခြားပစ္စည်းများကို oxidized မဖြစ်စေရန် ကာကွယ်ပေးနိုင်သည်၊ အထူးသဖြင့် အခြားပစ္စည်းများ အလွယ်တကူ ပြုတ်ကျမသွားစေရန်၊ adhesion strength ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

အနုစိတ်: 325-2500 ကွက်;

PH- 7-8;သိပ်သည်းဆ- 4.8 မှ 5.0 g/cm3; မာကျောမှု- 1-1.5;

မီးလောင်ဆုံးရှုံးမှု: 18-22%;

ပွတ်တိုက်အားကိန်း :0.05-0.09